<p></p><p>发展重点</p><p>1.集成电路设计</p><p>(1)服务器/桌面CPU</p><p>单核/双核服务器/桌面计算机CPU、多核服务器/桌面计算机CPU、众核服务器/桌面计算机CPU</p><p>(2)嵌入式CPU</p><p>低功耗高性能嵌入式CPU、低功耗多核嵌入式CPU、超低功耗众核嵌入式CPU</p><p>(3)存储器</p><p>3</p><p>随机存储器(DRAM)及嵌入式随机存储器(eDRAM)、闪存存储器(Flash)及三维闪存存储器(V-NAND Flash)</p><p>(4)FPGA及动态重构芯片</p><p>FPGA(现场可编程逻辑阵列)、动态可重构平台</p><p>(5)集成电路设计方法学</p><p>SoC(系统级芯片)设计、ESL(电子系统级)设计、3D-IC设计</p><p>2. 集成电路制造</p><p>(1)新器件</p><p>HK金属栅及SiGe/SiC应力、FinFET(鳍式场效应晶体管)、量子器件</p><p>(2)光刻技术</p><p>两次曝光、多次曝光、EUV(极紫外光刻)、电子束曝光、193nm光刻胶、EUV光刻胶</p><p>(3)材料及成套技术</p><p>65-32nm光掩膜材料及成套技术、20-14nm光掩膜材料级成套技术</p><p>3.集成电路封装</p><p>(1)倒装封装技术</p><p>大面积倒装芯片球阵列封装</p><p>(2)多芯片封装</p><p>双芯片封装、三维系统级封装(3D SIP)、多元件集成电路(MCO)</p><p>1.1.4 重大装备及关键材料</p><p>1.制造装备</p><p>4</p><p>90-32nm工艺设备、20-14nm工艺设备、18英寸工艺设备</p><p>2.光刻机</p><p>90nm光刻机、浸没式光刻机、EUV光刻机</p><p>3.制造材料</p><p>65-32nm工艺材料、22-14nm工艺材料、12/18英寸硅片</p><p>4.封装设备及材料</p><p>高密度封装高端设备及配套材料、TSV制造部分关键设备及材料</p>